晶合集成获得发明专利授权：“半导体测试结构及方法”

(资料图)

根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体测试结构及方法”，专利申请号为CN202610425182.X，授权日为2026年7月24日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体测试结构及方法，属于半导体技术领域，所述半导体测试结构位于一待检测晶圆上，包括设于待检测晶圆中漏区、源区及沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构位于所述漏区与所述源区之间，以隔离所述漏区与所述源区，所述源区包括至少一个第一叉指，所述漏区包括至少一个第二叉指，所述第一叉指与所述第二叉指相互穿插，以使所述第一叉指具有与所述第二叉指交叠的有效部分；栅极结构，位于所述源区上，且所述栅极结构至少沿着所述有效部分与所述沟槽隔离结构的交界线延伸。本申请可解决Fab难以有效检测来料晶圆的体微缺陷的问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权315个，较去年同期增加了38.77%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目650次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1750条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可29个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。